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电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差异实在没那

发布日期:2021-01-14 03:15   来源:未知   阅读:

开盖当然是基础操作了,还要尽可能把处理器搞得四分五裂,最后用导电胶固定在支架上,以便电镜X射线工作。

想要从微观上辨别制程差别,加拿大Up主Der8auer找来电子显微镜探索了番,此次选取的对象是Intel14nm+++工艺的酷睿i9-10900K跟台积电7nm的AMD锐龙93950X处置器。

固然乍看两者并不太大不同,但细心瞧,台积电的节点依然比英特尔的密度要大得多,究竟名义上当先代。

为了便利对照,特殊选取的是各自处理器的L2缓存局部,这往往是工艺水准的集中体现,六合综合资料

这些年在制程工艺上,Intel总是被诟病慢半拍,实在评估也不客观,毕竟Intel对制程节点的命名更严lao肃shi,所以才有Intel的10nm相称于甚至更优于台积电/三星7nm的说法。

简略来说,Intel14nm芯片晶体管的栅极宽度为24nm,第十六届中国茶业经济年会上三大论坛召开,而AMD芯片的栅极宽度为22nm,栅高也相称类似。